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ARM与台积电合作首款10奈米FinFET多核心测试芯片问世

ARM于昨天宣布,首款采用台积公司10奈米FinFET制程技术的多核心64位元ARMv8-A处理器测试芯片问世。模拟基准测试结果显示,相较于目前多用于多款顶尖高阶手机运算芯片的16奈米FinFET+制程技术,此测试芯片展现更佳运算能力与功耗表现。

7d12a0b5ddfe8f6f35f23a731929056d ARM于昨天宣布,首款采用台积公司 10奈米FinFET制程技术的多核心 64位元 ARM v8-A 处理器测试芯片问世。模拟基准测试结果显示,相较于目前多用于多款顶尖高阶手机运算芯片的16奈米FinFET+ 制程技术,此测试芯片展现更佳运算能力与功耗表现。

此款测试芯片已成功获得验证(2015 年第 4 季已完成设计定案),为 ARM 与台积公司持续成功合作的重要里程碑。此一验证完备的设计方案包含了EDA工具、设计流程及方法,能够使新客户采用台积公司最先进的10奈米 FinFET 制程完成设计定案。此外,亦可供 SoC 设计人员利用基础 IP (标准元件库、嵌入式内存及标准 I/O) 开发最具竞争力的 SoC,以达到最高效能、最低功耗及最小面积的目标。

ARM 执行副总裁暨产品事业群总经理 Pete Hutton 表示:“高阶行动应用 SoC 设计的最高指导原则就是低功耗,因为现今市场对装置效能的需求日益高涨”。

Pete Hutton进一步指出,台积公司的 16奈米FFLL+ 制程与 ARM Cortex 处理器已奠定低功耗的新标准。我们与台积公司在10奈米FinFET制程技术的合作,可确保 在SoC层面上的效率,使客户在维持严苛的行动功耗标准下,同时能够有余裕发展更多的创新。

台积公司研究发展副总经理侯永清博士表示:“透过与ARM 合作,使我们在制程技术与 IP 的生态系统上能快速地进展,并加速客户的产品开发周期。”

侯永清博士指出,“我们联手定义处理器技术,持续促进行动通讯市场的发展,最新的努力成果就是结合 ARM 处理器与台积公司10奈米FinFET 技术,为各种高阶行动装置及消费性电子产品的终端使用者带来崭新体验。”

此款最新的测试芯片是 ARM 与 台积公司长期致力于先进制程技术的成果,植基于 2014 年 10 月宣布的首次 10奈米FinFET 技术合作。ARM 与 台积公司共同的IC设计客户亦获益于提早取得 ARM Cortex-A72 处理器的 ARM Artisan 实体 IP 与 16奈米 FinFET+ 设计定案,此款高效能处理器已获当今多款畅销高阶运算装置采用。

ARM 与 TSMC 的重大合作历史

  • ARM 与 TSMC 针对高效能运算应用宣布为期多年的 7 奈米 FinFET 制程技术合作协议 (2016 年 3 月)
  • ARM与台积公司共同揭示采用10奈米FinFET制程产出的64位元ARM架构处理器之发展蓝图 (2014 年 10 月)
  • 台积公司与ARM合作率先完成64位元ARM big.LITTLETM技术FinFET硅芯片之验证 缔造效能与功耗的新标竿 (2014 年 9 月)
  • ARM与台积公司合作采用16奈米FinFET制程技术完成首件Cortex-A57处理器产品设计定案 (2013 年 4 月)

今天刊登了《ARM与台积电合作首款10奈米FinFET多核心测试芯片问世》一文


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