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科锐发表新型萧特基二极管可应用于能源逆变器

科锐公司(CREE)宣布推出新型CPW5Z-Rec®高功率碳化硅(silicon-carbide,SiC)萧特基二极管产品,为业界第一个已可商用化的50安培SiC整流器系列。这些新型二极管专为在从50kW到超过1MW的高电力系统中使用SiC技术,具有降低成本...  

科锐公司 (CREE) 宣布推出新型CPW5 Z-Rec®高功率碳化硅(silicon-carbide, SiC)萧特基二极管产品,为业界第一个已可商用化的50安培SiC整流器系列。这些新型二极管专为在从50 kW 到超过1MW 的高电力系统中使用SiC技术,具有降低成本、提升效率、简化系统以及可靠度高的优势,能够实现要求严苛的应用,包括太阳能/太阳能光能逆变气、工业用电源、感应加热、电池充电站、风力发电变流器和牵引逆变器。

科锐的CPW5萧特基二极管特别为方便50安培的二极管与50安培的MOSFET或IGBT直接配接而开发,以单一CPW5整流器取代多个低电压、低电流的SiC萧特基二极管或硅PiN二极管,有助降低系统的复杂程度和成本。由于SiC的开关过程中消除了电压超量的问题,因此可以借着降低最大电压额定值和消除缓冲电路来进一步降低成本。

APEI公司业务发展总监Ty McNutt表示:“科锐的CPW5系列SiC萧特基二极管是我们高性能功率模组和电子电力系统中的重要组成部分。其低顺向电压降 (voltage drop)、快速的开关速度和扩展的温度性能,使我们能在许多应用,例如高功率马达驱动器和太阳能光电转变器中提升功率密度和效率。”

科锐 CPW5二极管可实现新一代的高电流Si/SiC IGBT模组。与传统模组相比,混合式Si/SiC的IGBT模组的开关损耗可锐减达43%,同时还可抑制电压及电流超量、开关延迟时间(dead time)和冷却需求。另一个好处是设计工程师可利用与传统模组相同的闸极驱动器设计和电路,从而可方便及立即执行系统。此外,科锐CPW5二极管也提供了一个具有超过500安培反复电流和2000安培非反复电流的正向峰值浪涌电阻,在最恶劣的电气环境下也能提供较高的可靠性。

SmiDice首席执行官Dan Cormack表示:“SemiDice是以晶圆和晶粒方式提供科锐SiC功率产品的独家经销商,我们很高兴能供应CPW5系列的Z-Rec萧特基二极管。我们正看到客户对50安培萧特基二极管的需求增加,并深信Cree作为高阶SiC二极管制造领域的全球领先者,将可提供我们客户所期望的品质和性能,协助他们将系统成本和尺寸降到最低。”

CPW5系列Z-Rec萧特基二极管包括1700V/50A、1200V/50A、650V/50A和650V/30A组合。SemiDice公司现已提供新型CPW5二极管的裸晶。

今天刊登了《科锐发表新型萧特基二极管可应用于能源逆变器》一文


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